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高精度變溫霍爾效應(yīng)測試儀（70-730K）
變溫霍爾效應(yīng)測量儀是利用范德堡測量技術(shù)對半導(dǎo)體材料的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數(shù)、電子遷移率等進(jìn)行測量，用來表征和了解材料的物理性質(zhì)。昊量光電的寬帶變溫霍爾效應(yīng)測量儀主要可包括霍爾效應(yīng)測量、變溫恒溫器、外加磁場三部分。
高精度變溫霍爾效應(yīng)測試儀（70-730K）
變溫霍爾效應(yīng)測量儀利用不同范德堡方法可以在不同溫度下對材料的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數(shù)、電子遷移率進(jìn)行測量。該設(shè)備采用焦耳-湯姆遜平臺可以為樣品提供70-730K廣泛的變溫范圍，利用溫度控制器使展現(xiàn)的溫度穩(wěn)定性和重復(fù)性，控溫精度可達(dá)到±0.1K，分辨率可達(dá)到0.01K，并對溫度變化有極快的響應(yīng)速度。采用zui大可提供1.4T的電磁鐵施加外磁場，并可根據(jù)需要選配不同的電磁鐵。配備霍爾測量控制器，樣品電流范圍為10-12-0.01 A，樣品電壓可達(dá)到10-6-2.4V。采用靈活的模塊化設(shè)計(jì)，可以根據(jù)需要實(shí)驗(yàn)和經(jīng)費(fèi)需要組建理想的系統(tǒng)。
變溫霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)、霍爾效應(yīng)測量儀，寬溫霍爾效應(yīng)測量儀，寬帶變溫霍爾效應(yīng)測量，高精度霍爾效應(yīng)測量儀
昊量光電推出的變溫霍爾測量系統(tǒng)采用*的焦耳-湯姆遜平臺對樣品進(jìn)行高低溫處理，無需液體冷凍劑處理。當(dāng)真空腔至少保持在8 mTorr時(shí)，可以提供以下溫度范圍，①室溫,②70K-580K,③80K-580K,④70K-730K,⑤80K-730K,⑥室溫-730K,六種不同的溫度區(qū)間。配備AUK2000溫度控制器，可提供精確的溫度控制與測量并且擁有*的穩(wěn)定性和重復(fù)性。該系統(tǒng)控溫精度可達(dá)到±0.1K，分辨率可達(dá)到±0.01K，對溫度的響應(yīng)速度可達(dá)到1K/s。
霍爾效應(yīng)測量儀采用范德堡方法對霍爾效應(yīng)和電阻率進(jìn)行測量，四個(gè)探針連接樣品，其中兩個(gè)輸入電流，其余兩個(gè)測量電壓。為了方便快速的切換樣品，與樣品表面接觸有彈簧探針和利用聚酰亞胺焊接兩種方法。①彈簧探針可以使待測樣品與探針直接接觸，無需粘貼或焊接，這有效的避免了樣品在高溫下測試時(shí)焊點(diǎn)融化的問題。而且在換樣品時(shí)更加快速方便。②聚酰亞胺焊接法。當(dāng)樣品尺寸非常小，或者有特殊幾何要求的樣品時(shí)采用該方法，此外利用彈簧探針無法達(dá)到優(yōu)質(zhì)的歐姆連接時(shí)也采用這種辦法?；魻杺鞲衅髟谡婵涨恢刑幵跇悠返南路剑梢詫悠匪幋艌龅拇笮∵M(jìn)行精確的測量。
寬帶變溫霍爾效應(yīng)測量儀采用電磁體或永磁鐵提供外加磁場。并有三種不同的電磁體可供選擇。電磁體可通過軟件和霍爾控制器進(jìn)行控制。①AU-M-25是一個(gè)緊湊的低成本的永磁體，該電磁體既不需要水冷也不需要風(fēng)冷。該磁體可以提供5000高斯的單向外加磁場，霍爾恒溫器在兩片電磁鐵之間，如果需要反向磁場可以把恒溫器反向插入即可。②AU-MK-50是雙極電磁體，可提供變化的外加磁場，zui高可達(dá)5000高斯，并可提供反向磁場和0磁場。此外兩電磁鐵之間的間距可以調(diào)節(jié)。該電磁鐵采用風(fēng)冷，但有水冷端口如果長時(shí)間使用可采用水冷。③AU-M-150電磁鐵可提供變化的外加磁場，zui高可高達(dá)14000高斯，可自由轉(zhuǎn)換磁場反向，對于高磁場和長時(shí)間的使用，應(yīng)利用水冷使電磁體降溫。
寬帶變溫霍爾效應(yīng)測量儀采用四點(diǎn)范德堡的方法測量，并通過霍爾測量控制器AUH5000來實(shí)現(xiàn)，AUH5000控制器是一個(gè)一體化的設(shè)備，既可以提供電流/電壓源、電流/電壓探測、磁場的測量和控制。該控制器可以通過USB或者RS-232與電腦連接通過軟件進(jìn)行上述操作。通過軟件可以完成溫度控制、霍爾測量等。
u 主要特點(diǎn)
寬的操作溫度（70-730K）
的溫度穩(wěn)定性和重復(fù)性（±0.1K）
高外加磁場（1.4T）
靈活配置的模塊設(shè)計(jì)，可以根據(jù)經(jīng)費(fèi)和實(shí)驗(yàn)需求組建系統(tǒng)
低運(yùn)行成本
無機(jī)械、聲學(xué)和電子噪聲
u 主要應(yīng)用
半導(dǎo)體材料（比如說Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe）、電磁材料（磁電阻器件、GMR薄膜、稀磁半導(dǎo)體、超導(dǎo)體材料）的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數(shù)、電子遷移率測量
u 主要參數(shù)
SPECIFICATIONS FOR THE VARIABLE TEMPERATURE HALL SYSTEM | |
Operating Temperature Range: | Available between 70K and 730K (Joule-Thomson Thermal Stage) |
Dimensions of Vacuum Chamber: | 2.5 in wide x 6.0 in long x 0.75 in high (at sample end) |
Weight of the Vacuum Chamber: | 16 oz (454 grams) with thermal stage mounted |
Sample Mounting Surface Size: | 10 mm x 12 mm |
Standard Window Material: | Fused silica |
Maximum Sample Weight Allowed: | No more than 5 grams |
Working Distance: | 12 mm |
Dimension Configurations: | -Spring Loaded Probe spacing: 0.1 in, 0.2 in, 0.3 in (2.25 mm, 5 mm, 10.5 mm) -Kapton Harness space: not applicable |
Electrical Connections: | Triax connectors. |
Current Source Range: | 1 -12 to 0.01 Amps |
Voltage Measurement Range: | 1 -6 to 2.4 Volts |
Resistance (or Resistivity) Range: ** | Typical range is 10 -4 Ohm*cm to 10 13 Ohm*cm (dependent on sample thickness) |
Carrier Concentration Range: ** | Approximate range is 10 3 cm -3 to 10 19 cm -3(dependent on sample thickness ) |
Mobility Range: ** | Approximate range is 1 cm2 /volt*sec to 107 cm2/volt*sec |
Sample Thickness: | 0.001-2000 micrometer |
Temperature Accuracy: | < 0.5K at 80K; + /- 0.5K between 80K and 400K; < 1.5K from 400K to 730K |
Temperature Stability: | * /- 0.1K |
Temperature Resolution: | 0.01 K |
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