| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
高速InGaAs光電二極管FD-80系列
fermionics是一家獨立的InGaAs光電二極管制造商，用于光通信、測試儀器、傳感等應用。在費米公司，我們專注于質量、及時交付和客戶設計要求，致力于滿足多樣化客戶群的需求。該公司于1991年在加利福尼亞州成立并注冊成立。
Fermionics FD80 系列為 80 μm 有源區(qū) InGaAs PIN 光電二極管，面向 1310/1550 nm 高速通信與測試，以低電容、低暗電流、亞納秒響應與多樣封裝為核心，適合 ROSA、高速光模塊與儀器接收端。
（FD80W圖片）
高速InGaAs光電二極管FD-80系列核心原理與結構：
平面鈍化 PIN，寬帶隙窗口與吸收層匹配近紅外，降低表面復合與暗電流。
反向偏置下耗盡層吸收光子，產(chǎn)生光電流；低電容（0.4–0.75 pF）支撐 GHz 帶寬。
僅在零光程差附近形成高對比度條紋；光程差增大則條紋迅速衰減。
響應 900–2600 nm，典型 1300/1550 nm；3 dB 帶寬由負載與結電容決定。
高速InGaAs光電二極管 FD-80系列性能優(yōu)勢：
高速低噪聲：0.4–0.75 pF，暗電流 0.1–1 nA，適合 25G/40G/100G 接收端。
高耦合效率：球透鏡 / 聚焦鏡封裝提升自由空間 / 光纖耦合，降低系統(tǒng)靈敏度要求。
低回損可選：尾纖端面斜切（如 8°），回損≥40 dB，減少系統(tǒng)反射噪聲。
靈活集成：TO、陶瓷襯底、表面貼裝、FC/SC/ST，適配原型到量產(chǎn)。
工業(yè)可靠：-40 至 + 85 °C，高穩(wěn)定性，適合戶外與數(shù)據(jù)中心。
高速InGaAs光電二極管 FD-80系列應用場景：
高速光通信：10G/25G/40G/100G ROSA、光模塊接收端，1310/1550 nm 鏈路。
測試儀器：誤碼儀、光示波器、光譜分析儀接收端，低噪聲與高速響應。
數(shù)據(jù)中心 / 城域網(wǎng)：高速光互連，F(xiàn)C/SC/ST 封裝適配不同接口。
傳感與醫(yī)療：近紅外光譜、光纖傳感，寬波長與低暗電流。
高速InGaAs光電二極管 FD-80系列選型建議：
高速通信：選 FD80FC/FCB/S8-Fx，尾纖 / FC 耦合，低回損，適配 ROSA。
測試儀器：FD80W/FD80L，平窗 / 球透鏡，易與準直光 / 自由空間系統(tǒng)對接。
高頻 PCB：FD80S2/S3，陶瓷襯底，低熱阻、低寄生，支持表面貼裝。
低回損：指定尾纖端面斜切（如 8°），回損≥40 dB，減少系統(tǒng)抖動。
FD80系列產(chǎn)品類型：
| FD80W | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO18接口上，配有平坦的AR涂層窗口 |
| FD80L | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO46頭段，帶球形透鏡 |
| FD80S2 | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管安裝在S2型氧化鋁陶瓷子支架上 |
| FD80S3 | 80微米活性直徑InGaAs光電二極管安裝在S3型氧化鋁陶瓷子支架上 |
| FD80FC | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管，置于TO46接口，帶對焦鏡頭，對齊于帶2孔法蘭的FC連接器插座內 |
| FD80FCB | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管，置于TO46插頭，帶對焦鏡頭，校準于PCB/面板安裝的FC連接器插座中 |
| FD80SC | 80微米有源直徑InGaAs光電二極管，置于TO46接口，帶對焦鏡頭，并對齊于PCB/面板式SC連接器插座中 |
| FD80ST | 80微米主動直徑InGaAs光電二極管，置于TO46接口及對焦鏡頭，并對準于Radiall ST插座 |
| FD80S8-F-（光纖類型/連接器） | 80微米活性直徑InGaAs光電二極管，安裝在水平安裝的S8陶瓷封裝尾線組件上。可選定制光纖和連接器終端。 |
| FD80S8-F8-（光纖類型/連接器） | 80微米活性直徑InGaAs光電二極管，安裝在水平安裝的S8陶瓷封裝尾線組件上。內部纖維拋光角度為8°，以實現(xiàn)低背反射。提供定制單模光纖和連接器終端。 |
| FD80F-（光纖類型/連接器） | TO46軸向封裝尾線組件中的80微米活性直徑InGaAs光電二極管。可選定制光纖和連接器終端。 |
| FD80F8-（光纖類型/連接器） | TO46軸向封裝尾線組件中的80微米活性直徑InGaAs光電二極管。內部纖維拋光角度為8°，以實現(xiàn)低背反射。提供定制單模光纖和連接器終端。 |
FD80 芯片系列規(guī)格表：
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 0.15 | 0.5 | ns | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 0.4 | 0.75 | pF | |
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